GS9012D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GS9012D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 64

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GS9012D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GS9012D даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GS9011D, GS9011E, GS9011F, GS9011G, GS9011H, GS9011I, GS9012, 2SB1386-R, 2SD1047, GS9012E, GS9012F, GS9013, 2SB1386-Q, GS9013D, GS9013E, GS9013F, GS9013G