GSDB10008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSDB10008  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GSDB10008

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSDB10008 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GS9018F, GS9018G, GS9018H, GS9020, GS9020G, GS9020H, GS9021, GS9022, BD778, GSDR10020, GSDR10020I, GSDR10025, GSDR10025I, GSDR15020, GSDR15020I, GSDR15025, GSDR15025I