GSDS50018. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GSDS50018

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GSDS50018

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSDS50018 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GSDR10020, GSDR10020I, GSDR10025, GSDR10025I, GSDR15020, GSDR15020I, GSDR15025, GSDR15025I, 2SD669, GSDS50020, GSDU7530, GSDU7535, GSDU7540, GSH9012, GSH9012D, GSH9012E, GSH9012F