GSDU7535 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSDU7535  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GSDU7535

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSDU7535 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GSDR10025I, GSDR15020, GSDR15020I, GSDR15025, GSDR15025I, GSDS50018, GSDS50020, GSDU7530, 2N2907, GSDU7540, GSH9012, GSH9012D, GSH9012E, GSH9012F, GSH9032, GSH9032D, GSH9032E