GSRU20030 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSRU20030  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GSRU20030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSRU20030 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GSRU10035, GSRU10040, GSRU15030, GSRU15030A, GSRU15035, GSRU15035A, GSRU15040, GSRU15040A, 2N3904, GSRU20035, GSRU20040, GSTR8030, GSTU10030, GSTU10035, GSTU10040, GSTU15018, GSTU15020