Справочник транзисторов. GSTU10030

 

Биполярный транзистор GSTU10030 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: GSTU10030
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GSTU10030

 

 

GSTU10030 Datasheet (PDF)

NO PDF!

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top