GSTU10030 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSTU10030  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GSTU10030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSTU10030 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GSRU15035, GSRU15035A, GSRU15040, GSRU15040A, GSRU20030, GSRU20035, GSRU20040, GSTR8030, C1815, GSTU10035, GSTU10040, GSTU15018, GSTU15020, GSTU30018, GSTU30020, GSTU4030, GSTU4035