GSTU6030 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GSTU6030 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO3
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для GSTU6030
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GSTU6030 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: GSTU10040, GSTU15018, GSTU15020, GSTU30018, GSTU30020, GSTU4030, GSTU4035, GSTU4040, A1015, GSTU6035, GSTU6040, GSTU8030, GSTU8035, GSTU8040, GSTU8040I, GSTU8045, GSTU8045I
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50
