GSTU8030 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSTU8030  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GSTU8030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSTU8030 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GSTU30018, GSTU30020, GSTU4030, GSTU4035, GSTU4040, GSTU6030, GSTU6035, GSTU6040, 2N3906, GSTU8035, GSTU8040, GSTU8040I, GSTU8045, GSTU8045I, GT100-10, GT100-3, GT100-4