Справочник транзисторов. GT100-5

 

Биполярный транзистор GT100-5 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT100-5
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 160 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: XM37
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

GT100-5 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:181K  vishay
vs-gt100tp60n.pdfpdf_icon

GT100-5

VS-GT100TP60Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 AFEATURES Low VCE(on) trench IGBT technology 5 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (

 9.2. Size:184K  vishay
vs-gt100tp120n.pdfpdf_icon

GT100-5

VS-GT100TP120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT Power Module, 1200 V, 100 AFEATURES Low VCE(sat) trench IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(sat) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using

 9.3. Size:172K  vishay
vs-gt100la120ux.pdfpdf_icon

GT100-5

VS-GT100LA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsLow Side Chopper IGBT SOT-227(Trench IGBT), 100 AFEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved

 9.4. Size:172K  vishay
vs-gt100na120ux.pdfpdf_icon

GT100-5

VS-GT100NA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsHigh Side Chopper IGBT SOT-227(Trench IGBT), 100 AFEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BFS91A | BC850AMTF | HM5401 | 2SC1058 | NTE128 | MMBC1009F1

 

 
Back to Top

 


 
.