GT109V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT109V

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 80 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

 Аналоги (замена) для GT109V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT109V даташит

 9.1. Size:462K  russia
 gt109a-b-v-g-d-e-zh-i.pdf pdf_icon

GT109V

Другие транзисторы: GT108V, GT109A, GT109B, GT109D, GT109E, GT109G, GT109I, GT109J, BD135, GT115A, GT115B, GT115D, GT115G, GT115V, GT1201, GT1202, GT122A