GT125E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT125E

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

 Аналоги (замена) для GT125E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT125E даташит

 9.1. Size:414K  russia
 gt125a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf pdf_icon

GT125E

 9.2. Size:3940K  goford
 gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf pdf_icon

GT125E

GT125N10 GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON) technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.) charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130 A 4.1m to get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

Другие транзисторы: GT122V, GT124A, GT124B, GT124G, GT124V, GT125A, GT125B, GT125D, 13005, GT125G, GT125I, GT125J, GT125K, GT125L, GT125V, GT150-10, GT150-3