Справочник транзисторов. GT125E

 

Биполярный транзистор GT125E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT125E
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

GT125E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:414K  russia
 gt125a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf pdf_icon

GT125E

 9.2. Size:3940K  goford
 gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf pdf_icon

GT125E

GT125N10GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON)technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.)charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130A4.1mto get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SB373 | 2N918AQF | 2N464 | CD9014C | 3DG12 | KTA1267L | PTB20135

 

 
Back to Top

 


 
.