Биполярный транзистор GT250-10C Даташит. Аналоги
Наименование производителя: GT250-10C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 900 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 160 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: XM37
Аналог (замена) для GT250-10C
GT250-10C Datasheet (PDF)
NO PDF!
Другие транзисторы... GT1606 , GT1607 , GT1608 , GT1609 , GT1644 , GT200 , GT250-10A , GT250-10B , TIP36C , GT250-10D , GT250-3A , GT250-3B , GT250-3C , GT250-3D , GT250-4A , GT250-4B , GT250-4C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor