GT250-10C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT250-10C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 900 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 160 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: XM37

 Аналоги (замена) для GT250-10C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT250-10C даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GT1606, GT1607, GT1608, GT1609, GT1644, GT200, GT250-10A, GT250-10B, D882P, GT250-10D, GT250-3A, GT250-3B, GT250-3C, GT250-3D, GT250-4A, GT250-4B, GT250-4C