Биполярный транзистор GT250-10D Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GT250-10D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 770 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 125 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: XM37
     - подбор биполярного транзистора по параметрам