GT250-9D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT250-9D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 770 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 125 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: XM37

 Аналоги (замена) для GT250-9D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT250-9D даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GT250-7D, GT250-8A, GT250-8B, GT250-8C, GT250-8D, GT250-9A, GT250-9B, GT250-9C, BD140, GT2693, GT2694, GT2695, GT2696, GT2765, GT2766, GT2767, GT2768