Справочник транзисторов. GT311V

 

Биполярный транзистор GT311V Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT311V
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 70 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
 

 Аналог (замена) для GT311V

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT311V Datasheet (PDF)

 9.1. Size:1553K  russia
 gt311e-zh-i 1t311a-b-v-g-d-k-l.pdf pdf_icon

GT311V

Другие транзисторы... GT3110A-2 , GT311A , GT311B , GT311D , GT311E , GT311G , GT311I , GT311J , 2SB817 , GT313A , GT313B , GT313V , GT320A , GT320B , GT320V , GT321A , GT321B .

History: 2N1706 | BCY78 | ECG317 | BUX12 | 2N4937 | 2N164A

 

 
Back to Top

 


 
.