2N3799A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3799A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 225

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3799A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3799A даташит

 8.1. Size:27K  semelab
 2n3799.pdf pdf_icon

2N3799A

2N3799 SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) PNP, LOW NOISE 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) AMPLIFIER 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) TRANSISTOR FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) CECC SCREENING OPTIONS dia. LOW NOISE AMPLIFIER 2.54 (0.100) Nom. APPLICATIONS 3 1 Low Level Amplifier 2 Instrumentation Amplifier

 9.1. Size:72K  1
 2n3794.pdf pdf_icon

2N3799A

 9.2. Size:68K  1
 2n3793.pdf pdf_icon

2N3799A

 9.3. Size:223K  motorola
 2n3791 2n3792.pdf pdf_icon

2N3799A

Order this document MOTOROLA by 2N3791/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N3791 Silicon PNP Power Transistors 2N3792 . . . designed for medium speed switching and amplifier applications. These devices feature 10 AMPERE Total Switching Time @ 3.0 A [ 1.0 s (typ) POWER TRANSISTORS hFE (min) = 50 @ 1.0 A PNP SILICON Low VCE(sat) = 0.5 V (typ) @ IC = 5.0 A, IB = 0.5 A 60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3792LP, 2N3792SM, 2N3793, 2N3794, 2N3795, 2N3798, 2N3798A, 2N3799, 2N5401, 2N3799X, 2N38, 2N380, 2N3800, 2N3800DCSM, 2N3801, 2N3801DCSM, 2N3802