GT600 - описание и поиск аналогов

 

GT600. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT600

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 85 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GT600

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT600 даташит

 0.1. Size:188K  apt
 aptgt600u120d4.pdf pdf_icon

GT600

APTGT600U120D4 VCES = 1200V Single switch IC = 600A @ Tc = 80 C Trench IGBT Power Module Application Welding converters 1 Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies Motor control 3 Features 5 Trench + Field Stop IGBT Technology - Low voltage drop 2 - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz - Soft recovery pa

 0.2. Size:189K  apt
 aptgt600u170d4.pdf pdf_icon

GT600

APTGT600U170D4 VCES = 1700V Single switch IC = 600A @ Tc = 80 C Trench IGBT Power Module Application Welding converters 1 Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies Motor control 3 Features 5 Trench + Field Stop IGBT Technology - Low voltage drop 2 - Low tail current - Switching frequency up to 20 kHz - Soft recovery pa

Другие транзисторы: GT46, GT47, GT5116, GT5117, GT5148, GT5149, GT5151, GT5153, C1815, GT701A, GT702A, GT702B, GT702V, GT703A, GT703B, GT703D, GT703G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.