GT8001 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GT8001  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GT8001

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT8001 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GT758, GT759, GT760, GT761, GT762, GT763, GT764, GT8000, 13003, GT8002, GT8003, GT8004, GT8005, GT804A, GT804B, GT804V, GT806A