Справочник транзисторов. GT806B

 

Биполярный транзистор GT806B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT806B
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
 

 Аналог (замена) для GT806B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT806B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:1162K  russia
gt806a-b-v-g-d 1t806a-b-v.pdfpdf_icon

GT806B

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BTD1768S3 | RT1N241C | BU207A | HA7501 | LBC858BLT1G

 

 
Back to Top

 


 
.