Справочник транзисторов. GT8100

 

Биполярный транзистор GT8100 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT8100
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для GT8100

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT8100 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:415K  russia
gt810a.pdfpdf_icon

GT8100

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BTN1101E3 | NSD6181

 

 
Back to Top

 


 
.