GT813A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GT813A 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для GT813A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GT813A даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: GT81, GT8100, GT8101, GT8102, GT8103, GT810A, GT811, GT812, 2SD313, GT813B, GT813V, GT81H, GT81HS, GT82, GT83, GT87, GT88
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: RN1965FE | 2SC3181NO | 2N3830L
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики
