GT813V. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: GT813V
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Аналоги (замена) для GT813V
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GT813V даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: GT8101, GT8102, GT8103, GT810A, GT811, GT812, GT813A, GT813B, 2SC2625, GT81H, GT81HS, GT82, GT83, GT87, GT88, GT901A, GT901B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent