HA21 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HA21  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO237

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HA21

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HA21 даташит

 0.1. Size:155K  vishay
 siha21n60ef.pdf pdf_icon

HA21

SiHA21N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES D Thin-Lead TO-220 FULLPAK Fast body diode MOSFET using E series technology Reduced trr, Qrr, and IRRM Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg G Low input capacitance (Ciss) Available Increased robustness due to low Qrr Ultra low gate charge (Qg) Avalanche en

 0.2. Size:2781K  haolin elec
 ha210n06.pdf pdf_icon

HA21

210A 60V N-Channel MOSFET HA210N06 FEATURES BVDSS = 60 V 4m RDS(on) typ = 60V/210A ID = 210 A RDS(ON)= 4m (Max)@ VGS=10V TO-3P Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss 1 2 High avalanche Current 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Application Power Supply UPS Battery Management System Absolute Ma

Другие транзисторы: GTC609V, GTM115A, GTM115B, GTM115G, GTM115V, GTM305A, GTM305B, GTM305V, BC639, HA21G, HA21H, HA21I, HA21J, HA21X, HA21Y, HA22, HA22G