2N3808 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3808  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO71-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3808

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3808 даташит

 9.1. Size:273K  no
 2n380x-a 2n381x-a.pdf pdf_icon

2N3808

 9.2. Size:10K  semelab
 2n3804adcsm.pdf pdf_icon

2N3808

2N3804ADCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 60V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.05A C (0

Другие транзисторы: 2N3805, 2N3805A, 2N3805ADCSM, 2N3805DCSM, 2N3806, 2N3806DCSM, 2N3807, 2N3807DCSM, 2SD1047, 2N3808DCSM, 2N3809, 2N3809DCSM, 2N381, 2N3810, 2N3810A, 2N3810DCSM, 2N3811