Биполярный транзистор HEP637 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEP637
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам