HEP637 - описание и поиск аналогов

 

HEP637. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HEP637

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для HEP637

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEP637 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы... HA9532 , HA9532A , HA9532B , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , S9018 , HEPG0001 , HEPG0002 , HEPG0003 , HEPG0005 , HEPG0006 , HEPG0007 , HEPG0008 , HEPG0009 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.