HEPG0002 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HEPG0002 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 22 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75
Корпус транзистора: TO5
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для HEPG0002
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HEPG0002 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: HA9532B, HCT2907A, HCT2907M, HDA412, HDA420, HDA496, HEP637, HEPG0001, MJE350, HEPG0003, HEPG0005, HEPG0006, HEPG0007, HEPG0008, HEPG0009, HEPG0011, HEPS0005
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent
