2N3810DCSM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3810DCSM  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: LCC2

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3810DCSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3810DCSM даташит

 8.1. Size:387K  st
 2n3810hr.pdf pdf_icon

2N3810DCSM

2N3810HR Hi-Rel PNP dual matched bipolar transistor 60 V, 0.05 A Datasheet - production data Features BVCEO 60 V IC (max) 0.05 A HFE at 10 V - 150 mA > 150 Operating temperature range -65 C to +200 C 1 2 3 4 6 5 Hi-Rel PNP dual matched bipolar transistor TO-78 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPL Radiatio

 8.2. Size:61K  microsemi
 2n3810 2n3811.pdf pdf_icon

2N3810DCSM

TECHNICAL DATA PNP SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/336 Devices Qualified Level 2N3810 2N3811 JAN 2N3810L 2N3811L JANTX 2N3810U 2N3811U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage 60 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Collector Current 50 mAdc IC One Both Section 1

 8.3. Size:305K  microsemi
 2n3810u.pdf pdf_icon

2N3810DCSM

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Tel +353 (0) 65 6840044 Fax +353 (0) 65 6822298 Website http //www.microsemi.com PNP SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /336 DEVICES LEVELS 2N3810 2N3811 JAN 2N3810L

 8.4. Size:305K  microsemi
 2n3810l.pdf pdf_icon

2N3810DCSM

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Tel +353 (0) 65 6840044 Fax +353 (0) 65 6822298 Website http //www.microsemi.com PNP SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /336 DEVICES LEVELS 2N3810 2N3811 JAN 2N3810L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3807DCSM, 2N3808, 2N3808DCSM, 2N3809, 2N3809DCSM, 2N381, 2N3810, 2N3810A, MJE340, 2N3811, 2N3811A, 2N3811ADCSM, 2N3811DCSM, 2N3812, 2N3813, 2N3814, 2N3815