HEPS3032 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS3032

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: SIPTAB

 Аналоги (замена) для HEPS3032

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS3032 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS3010, HEPS3011, HEPS3012, HEPS3019, HEPS3020, HEPS3021, HEPS3024, HEPS3028, MJE340, HEPS3033, HEPS3034, HEPS3035, HEPS3047, HEPS3048, HEPS3049, HEPS3050, HEPS3051