HEPS5020 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS5020  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 325 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для HEPS5020

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS5020 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS5006, HEPS5011, HEPS5012, HEPS5013, HEPS5014, HEPS5015, HEPS5018, HEPS5019, S9013, HEPS5021, HEPS5022, HEPS5022R, HEPS5023, HEPS5024, HEPS5025, HEPS5026, HEPS5027