Биполярный транзистор HEPS5022R Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEPS5022R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 275 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам