Биполярный транзистор HEPS7006 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEPS7006
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7.5 MHz
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам