HNT1T05 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HNT1T05  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HNT1T05

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HNT1T05 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS9153, HF0100, HF100, HF200, HF8004, HK100, HL100, HNT1T018, BC548, HPA100R, HPA100R-2, HPA100R-3, HPA100R-4, HPA150R, HPA150R-2, HPA150R-3, HPA150R-4