Биполярный транзистор 2N382 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N382
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO5
2N382 Datasheet (PDF)
2n3820.pdf
2N3820P-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from process 89.TO-9211. Drain 2. Gate 3. SourceEpitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVDG Drain-Gate Voltage -20 VVG
2n3821 2n3822 2n3824.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n3828.pdf
2N3828 0.1 A, 40 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES General Purpose Amplifier TransistorTO-92 G H Emitter Base CollectorJA DCollectorBMillimeterREF. Min. Max.A 4.40 4.70KB 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81E 0
2n3821 2n3822.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-301/99 B-32N3821, 2N3822N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C VHF AmplifiersReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Small Signal AmplifiersContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mWPower Derating 2mW/CAt 25C free air temperat
2n3821 2n3822 2n3823.pdf
TECHNICAL DATA N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE Qualified per MIL-PRF-19500/375 Devices Qualified Level JANTX 2N3821 2N3822 2N3823 JANTXV MAXIMUM RATINGS 2N3821 Parameters / Test Conditions Symbol 2N3822 2N3823 Unit Gate-Source Voltage VGSR 50 30 V Drain-Source Voltage V 50 30 V DSDrain-Gate Voltage V 50 30 V DGGate Current I 10 mA GF TO-72* Power Dissipatio
Другие транзисторы... 2N3813 , 2N3814 , 2N3815 , 2N3816 , 2N3816A , 2N3817 , 2N3817A , 2N3818 , 2SC2383Y , 2N3825 , 2N3826 , 2N3827 , 2N3828 , 2N3829 , 2N383 , 2N3830 , 2N3830L .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050