Биполярный транзистор 2N383 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N383
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO5
2N383 Datasheet (PDF)
2n2857 2n3839.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n3831.pdf
2N3831Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 40V dia.IC = 1.2A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1
2n3838 2n4854.pdf
TECHNICAL DATANPN/PNP SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/421 Devices Qualified LevelJAN 2N4854 2N3838 JANTX 2N4854U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Sym 2N3838(2) 2N4854, U Unit Collector-Emitter Voltage 40 40 VdcVCEO Collector-Base Voltage 60 60 VdcVCBO Emitter-Base Voltage 5.0 5.0 Vdc TO-78* VEBO 2N4854 Collector
Другие транзисторы... 2N3817A , 2N3818 , 2N382 , 2N3825 , 2N3826 , 2N3827 , 2N3828 , 2N3829 , 2SB817 , 2N3830 , 2N3830L , 2N3831 , 2N3832 , 2N3833 , 2N3834 , 2N3835 , 2N3836 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050