HSE825. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HSE825
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для HSE825
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HSE825 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: HSE453, HSE454, HSE455, HSE456, HSE459, HSE640, HSE820, HSE823, D209L, HSE828, HSE829, HSE830, HSE833, HSE834, HSE838, HSE839, HSE901
History: BC847CTT1 | IDA1263
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815