Биполярный транзистор HSE830 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HSE830
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 118 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам