IR4025 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IR4025  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IR4025

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IR4025 даташит

 9.1. Size:321K  vishay
 sir402dp.pdf pdf_icon

IR4025

SiR402DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.006 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 35 30 12 nC 100 % Rg Tested 0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICATIONS S

Другие транзисторы: IR2002, IR2500, IR2501, IR2700, IR2701, IR3000, IR3001, IR4010, BC327, IR4026, IR4039, IR4040, IR4041, IR4045, IR4046, IR4047, IR4050