IR4047 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IR4047  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IR4047

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IR4047 даташит

 9.1. Size:337K  vishay
 sir404dp.pdf pdf_icon

IR4047

New Product SiR404DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.00160 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.00175 at VGS = 4.5 V 20 60 64.5 nC 100 % Rg Tested 0.00225 at VGS = 2.5 V 60 100 % UIS Tested 2.5 V and 3.

Другие транзисторы: IR4010, IR4025, IR4026, IR4039, IR4040, IR4041, IR4045, IR4046, A940, IR4050, IR4055, IR4059, IR4502, IR6001, IR645, IR646, IR647