J596. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: J596

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.675 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO22

 Аналоги (замена) для J596

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

J596 даташит

 0.1. Size:29K  sanyo
 2sj596.pdf pdf_icon

J596

Ordering number ENN6979 2SJ596 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ596 DC / DC Converter Applications Preliminary Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2083B 4V drive. [2SJ596] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 0.6 0.5 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 4 Drain 2.3 2.3 SANYO TP unit mm 2092B [2SJ596] 6.5 2.3

Другие транзисторы: J583, J584, J585, J586, J587, J588, J589, J594, D882, J623, J624, J625, J626, J627, J628, J629, J630