JC556 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JC556 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для JC556
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
JC556 даташит
jc556 jc557 jc558 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 JC556; JC557; JC558 PNP general purpose transistors 1999 Apr 27 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 02 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors JC556; JC557; JC558 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V). 1 base 2 collecto
Другие транзисторы: JC548A, JC548B, JC548C, JC549, JC549B, JC549C, JC550, JC550C, 2SC2383, JC556A, JC556B, JC557, JC557A, JC557B, JC557C, JC558, JC558B
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: KT639-I1 | BF857BA | 3CD050 | 2SD1697 | KRC681T | KT639B | 2SB371
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568

