Справочник транзисторов. 2N3859A

 

Биполярный транзистор 2N3859A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3859A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N3859A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  fairchild semi
2n3859a.pdfpdf_icon

2N3859A

2N3859ANPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO C

 9.1. Size:154K  no
2n3858.pdfpdf_icon

2N3859A

Другие транзисторы... 2N3855 , 2N3855A , 2N3856 , 2N3856A , 2N3857 , 2N3858 , 2N3858A , 2N3859 , C945 , 2N385A , 2N386 , 2N3860 , 2N3860A , 2N3861 , 2N3862 , 2N3863 , 2N3864 .

History: RT3YB7M | 2SA815 | 2SA795A | BC848CW-G | 3DG2413K | 2SA1706T-AN

 

 
Back to Top

 


 
.