K2103B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K2103B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO50

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для K2103B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2103B даташит

 9.1. Size:127K  rohm
 2sk2103.pdf pdf_icon

K2103B

Transistors Small switching (30V, 2A) 2SK2103 FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Low-voltage drive (4V). 5) Easily designed drive circuits. 6) Easy to use in parallel. FStructure Silicon N-channel MOSFET FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FPackaging specifications 98 Transistors 2SK

 9.2. Size:128K  rohm
 2sk2103 1-5.pdf pdf_icon

K2103B

Другие транзисторы: K2101, K2101A, K2101B, K2102, K2102A, K2102B, K2103, K2103A, 2N5401, K2104, K2104A, K2104B, K2105, K2105A, K2105B, K2106, K2106A