K2110 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: K2110
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO72
K2110 Datasheet (PDF)
2sk2110.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2110 N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The 2SK2110 is a N-channel MOSFET of a vertical type 4.5 0.1 and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. 1.6 0.2 1.5 0.1 This product has a low on-state resistance and superb switching charact
2sk2110.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK2110 1.70 0.1 Features VDS (V) = 100V ID = 0.5 A Drain (D) 0.42 0.1 0.46 0.1 RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V) RDS(ON) 1.5 (VGS = 4V) Gate (G) 1.Gate Internal diode 2.Drain Gate 3.Source protection diode Source (S) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 10
Другие транзисторы... K2107A , K2107B , K2108 , K2108A , K2108B , K2109 , K2109A , K2109B , TIP31C , K2110A , K2110B , K2111 , K2111A , K2111B , K2112A , K2112B , K2113A .
History: BC327BP | RN1965CT | PMBT3906MB | GT703D | 4SDG110K | MUN2230LT2
History: BC327BP | RN1965CT | PMBT3906MB | GT703D | 4SDG110K | MUN2230LT2
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306



