Биполярный транзистор K2127 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: K2127
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO72
K2127 Datasheet (PDF)
2sk2127.pdf
Power F-MOS FETs 2SK21272SK2127Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm FeaturesAvalanche energy capability guaranteed : EAS > 130mJ4.6 0.29.9 0.3 2.9 0.2VGSS=30V guaranteed3.2 0.1High-speed switching : tf= 60nsNo secondary breakdown2.6 0.1 Applications1.2 0.151.45 0.15 0.7 0.1Non-contact relay0.75 0.1Solenoid drive2.54 0.2Motor driv
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050