Справочник транзисторов. KD503

 

Биполярный транзистор KD503 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KD503
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для KD503

 

 

KD503 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  tesla
 kd501 kd502 kd503 kd601 kd602 kd605 kd606 kd607 kd3055 kd3442 kd3772 kd3773 kd4348 kd615 kd616 kd617.pdf

KD503

 0.1. Size:569K  crhj
 skd503t skss042n10n.pdf

KD503 KD503

SKD503T, SKSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)3.6mID Qualified according to JEDEC criteria 120AApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100%

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KCW68

 

 
Back to Top