Справочник транзисторов. KSA1614O

 

Биполярный транзистор KSA1614O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSA1614O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSA1614O

 

 

KSA1614O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:47K  fairchild semi
ksa1614.pdf

KSA1614O
KSA1614O

KSA1614Low Frequency Power AmplifierPower Regulator Collector-Base Voltage : VCBO = - 80V Collector Dissipation : PC=20W (TC=25C)TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage - 80 VVCEO Collector-Emitter Voltage - 55 VVEBO Emi

 7.2. Size:110K  inchange semiconductor
ksa1614.pdf

KSA1614O
KSA1614O

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors KSA1614 DESCRIPTION With TO-220F package Collector-base voltage: VCBO=-80V Collector dissipation: PC=20W(TC=25) APPLICATIONS Power regulator Low frequency power amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 EmitterAbsolute max

 9.1. Size:45K  fairchild semi
ksa1625.pdf

KSA1614O
KSA1614O

KSA1625High Voltage Switch High Breakdown Voltage High Speed SwitchingTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -400 VVCEO Collector-Emitter Voltage -400 VVEBO Emitter-Base Voltage -7 VIB Base Current -0.25 AIC Collector Current (D

 9.2. Size:88K  utc
ksa1625.pdf

KSA1614O
KSA1614O

UTC KSA1625 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FEATURES *Collector-Emitter voltage: VCEO=-400V *Collector Dissipation: Pc(max)=625mW 1*Low collector-Emitter saturation voltageAPPLICATIONS *Telephone switching *High voltage switch TO-921:EMITTER 2: COLLECTOR 3: BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Operating temperature range applies unless otherwise

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top