Биполярный транзистор KSA1625M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSA1625M
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
KSA1625M Datasheet (PDF)
ksa1625.pdf
KSA1625High Voltage Switch High Breakdown Voltage High Speed SwitchingTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -400 VVCEO Collector-Emitter Voltage -400 VVEBO Emitter-Base Voltage -7 VIB Base Current -0.25 AIC Collector Current (D
ksa1625.pdf
UTC KSA1625 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FEATURES *Collector-Emitter voltage: VCEO=-400V *Collector Dissipation: Pc(max)=625mW 1*Low collector-Emitter saturation voltageAPPLICATIONS *Telephone switching *High voltage switch TO-921:EMITTER 2: COLLECTOR 3: BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Operating temperature range applies unless otherwise
ksa1614.pdf
KSA1614Low Frequency Power AmplifierPower Regulator Collector-Base Voltage : VCBO = - 80V Collector Dissipation : PC=20W (TC=25C)TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage - 80 VVCEO Collector-Emitter Voltage - 55 VVEBO Emi
ksa1614.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors KSA1614 DESCRIPTION With TO-220F package Collector-base voltage: VCBO=-80V Collector dissipation: PC=20W(TC=25) APPLICATIONS Power regulator Low frequency power amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 EmitterAbsolute max
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050