KSA812 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSA812

Маркировка: D1G_D1L_D1O_D1Y

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для KSA812

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSA812 даташит

 ..1. Size:58K  fairchild semi
 ksa812.pdf pdf_icon

KSA812

KSA812 Low Frequency Amplifier Collector-Base Voltage VCBO= -60V 3 Complement to KSC1623 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Cur

Другие транзисторы: KSA709R, KSA709Y, KSA733, KSA733G, KSA733L, KSA733O, KSA733R, KSA733Y, 431, KSA812G, KSA812L, KSA812O, KSA812Y, KSA910, KSA910O, KSA910R, KSA910Y