KSB1022 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KSB1022 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSB1022
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналоги (замена) для KSB1022

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB1022 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:46K  fairchild semi
ksb1023.pdfpdf_icon

KSB1022

KSB1023Power Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSD1413TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage - 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage - 40 VVEBO Emitter-Base

 9.1. Size:50K  fairchild semi
ksb1015.pdfpdf_icon

KSB1022

KSB1015Low Frequency Power Amplifier Low Collector Emitter Saturation Voltage Complement to KSD1406TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage - 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage - 60 VVEBO Emitter-Base Voltage - 7 VIC Collecto

 9.2. Size:47K  fairchild semi
ksb1097.pdfpdf_icon

KSB1022

KSB1097Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switchng Industrial Use Complement to KSD1588TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage - 80 VVCEO Collector-Emitter Voltage - 60 VVEBO Emitter-Base Voltage - 7 VIC Collector Curre

 9.3. Size:51K  fairchild semi
ksb1017.pdfpdf_icon

KSB1022

KSB1017Power Amplifier Applications Complement to KSD1408TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon Epitaxial TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage - 80 VVCEO Collector-Emitter Voltage - 80 VVEBO Emitter-Base Voltage - 5 VIC Collector Current - 4 AIB Base Current - 0.4 APC Co

Другие транзисторы... KSA992P , KSB1015 , KSB1015O , KSB1015Y , KSB1017 , KSB1017O , KSB1017R , KSB1017Y , TIP122 , KSB1023 , KSB1097 , KSB1097O , KSB1097R , KSB1097Y , KSB1098 , KSB1098O , KSB1098R .

History: P702A | NSVDTC143ZET1G | SDM4012 | MSB92AS1WT1G

 

 
Back to Top

 


 
.