KSB1097 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSB1097

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSB1097

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB1097 даташит

 ..1. Size:47K  fairchild semi
 ksb1097.pdf pdf_icon

KSB1097

KSB1097 Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switchng Industrial Use Complement to KSD1588 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Collector Curre

 8.1. Size:46K  fairchild semi
 ksb1098.pdf pdf_icon

KSB1097

KSB1098 Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switchng Industrial Use Complement to KSD1589 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 100 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Collect

 9.1. Size:50K  fairchild semi
 ksb1015.pdf pdf_icon

KSB1097

KSB1015 Low Frequency Power Amplifier Low Collector Emitter Saturation Voltage Complement to KSD1406 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Collecto

 9.2. Size:51K  fairchild semi
 ksb1017.pdf pdf_icon

KSB1097

KSB1017 Power Amplifier Applications Complement to KSD1408 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Silicon Epitaxial Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 80 V VEBO Emitter-Base Voltage - 5 V IC Collector Current - 4 A IB Base Current - 0.4 A PC Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSB1015O, KSB1015Y, KSB1017, KSB1017O, KSB1017R, KSB1017Y, KSB1022, KSB1023, 13009, KSB1097O, KSB1097R, KSB1097Y, KSB1098, KSB1098O, KSB1098R, KSB1098Y, KSB1116